記者蔡清欽／台南報導
在輝達新一代Rubin處理器的開發藍圖中，計畫把矽中介層的材料，由矽換成碳化矽，這個消息直接讓台灣半導體產業的碳化矽產業鏈快速升溫，位於南科的態金材料科技因為相關專利技術的研發，成功地應用在碳化矽及氮化鋁(AlN)陶瓷基板產業鏈上，目前正與成功大學半導體學院洽談一項政府的大型開發計畫案，整個進程已經將碳化矽晶圓及氮化鋁(AlN)陶瓷基板以突破傳統的極高效率減薄至 100 微米以下，並且同時進行微鑽孔與微溝槽加工，解決傳統高成本、低產能問題，為國內 SiC 產業點燃了一線曙光。
▲台灣新創——態金材料科技今天打樣的碳化矽晶圓線路樣品。（圖／業者提供）
台灣新創——態金材料科技研發長陳冠維博士表示，目前除了學界合作外，他們已與國內多家合作夥伴啟動設備開發計畫，因為全球功率半導體市場在價格和產能的問題正陷入前所未有的激烈廝殺，各大廠都陷入生存與轉型的兩難困境。而傳統碳化矽產業在意的切割技術，晶圓減薄及化學機械研磨耗時的困難，卻在態金材料科技憑藉獨家開發的「雷射輔助微粒子珠擊」專利製程下得到解決方案。
▲氮化鋁(AlN)陶瓷基板減薄。（圖／業者提供）
▼碳化矽晶圓。（圖／業者提供）
目前外界碳化矽製造商多半只能製造六吋和八吋的碳化矽晶圓，要減薄至 100 微米以下，必須耗費數十小時長時間的處理，態金材料科技卻能將碳化矽晶圓及氮化鋁(AlN)陶瓷基板在數分鐘內就能以極高效率減薄至 100 微米以下甚至更薄，並且進行微鑽孔與微溝槽加工，有效地成為電動車、再生能源、伺服器與高速運算領域的關鍵材料，而這些優勢也將成為台灣廠商和中國競爭者差異化的重點。
態金材料科技研發長陳冠維博士表示，相關技術的突破不僅克服了傳統雷射在此類材料上加工瓶頸(如裂紋、熱影響區、熔渣噴濺、塞孔…等)、機械研磨或化學蝕刻的高成本、低產能問題，更能減少次表層損傷，而且能讓SiC與陶瓷基板應用至 IC 封裝製程的中介層、再分佈層，甚至有潛力取代 ABF 載板，大幅提升高效能 IC 的熱設計功耗與溫控能力，這對矽光子共封裝及 高功率運算(HPC)晶片而言，是一項重大的突破。
新聞來源：民生電子報LifeNews
